圖 8.2  (b)給出了這種 “ 導通過MOS管驅(qū)動” 效應(yīng)的圖示。如果對導速度沒有要求，則為了 獲得要求的集電極電流 （ Ic1） 所需要的基極輸入電流 （ ／bl ） 只要滿足將電壓 Vee降低到集電極負載線和lc/Vce曲線的交點處的飽和電壓Vce(at)的水平上就可以了。在滿足上面要求的／bl的作用下，集電極電流將以某個時間常數(shù)ta呈指數(shù)上升，并且在3ta的時間內(nèi)進入 lci5%的范圍內(nèi)。

然而，若基極電流為2Ib1（過驅(qū)動系數(shù)為2），集電極電流將迅速上升，直至2/cl.如果沒有電源電壓和負載阻抗的限制，它將在相同的時間3ta后達到2Ic1。但由于集電極電流受電源電壓和負載阻抗的限制，它只能達到lci.因此集電極電流僅需要0.69兒ta的時間內(nèi)達到期望值lci，而非3ta.類似地，如果過驅(qū)動系數(shù)為3(/b=3/b1），則集電極電流會迅速上升，直到接近于 3lc1 。

如果沒有負載阻抗和電源電壓的限制，將在相同的時間3ta 后達到 3Ic1。但事實上集電極電 流受到限制，它只能達到 lcl。因此集電極電流是在 0.4ta 時間內(nèi)達到期望值 lc1的，而非3ta為加速晶體管的導通，過驅(qū)動系數(shù)通常選為2-3。這個過驅(qū)動系數(shù)用于具有典型B值的晶體管。B值低的晶體管速度很快，不需要高的過驅(qū)動系數(shù)。而B值高的晶體管速度慢，其相 應(yīng)的過驅(qū)動系數(shù)大約為典型B值晶體管的兩倍。
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