從廣義的講，IGBT也是三極管，是一種特殊的三極管。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質(zhì)上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個 P 型層。根據(jù)國際電工委員會的文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。 其相當于相當于一個由MOSFET驅動的厚基區(qū)GTR ， Rdr是厚基區(qū)GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR 為主導件、MOSFET 為驅動件的復合結構。

IGBT與三極管的關系看其結構圖就一目了然了，IGBT結構圖如下

IGBT結構圖

IGBT結構上類似于MOSFET ，其不同點在于IGBT 是在N溝道功率MOSFET 的N+基板（漏極）上增加了一個P+ 基板（IGBT 的集電極），形成 PN 結j1 ，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與 MOSFET 相似。 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。 N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel  region ）。而在漏區(qū)另一側的 P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 

為了兼顧長期以來人們的習慣， IEC 規(guī)定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發(fā)射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。 

IGBT管與三極管電路符號如下：

N溝道IGBT等效電路與電氣符號

集中結構的三極管電路符號
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