1.什么是N型、P型半導(dǎo)體中多子和少子？
2.PN結(jié)。
場效應(yīng)管分為：
1.絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)，又稱MOS管；
2.結(jié)型場效應(yīng)管j（JFET）。
當(dāng)了解完MOS管，結(jié)型場效應(yīng)管自然就理解了。
一、原理說明（以N溝道增強(qiáng)型MOS管為對象）
先看圖：
1.為什么叫N溝道？
因?yàn)樵礃O和漏極是兩個(gè)N型半導(dǎo)體，我們的目的是要使源極和漏極兩個(gè)導(dǎo)通，相當(dāng)于在漏源之間挖一條溝渠，這樣兩邊就連通了。
但問題來了。在無任何外電場作用的情況下，漏源之間是兩個(gè)背向的PN結(jié)，無法形成溝道，無法連通。
2.怎么形成N溝道？
在柵-源（g-s）間加上正電壓，在柵極金屬下側(cè)聚集正電荷，排斥二氧化硅絕緣層下側(cè)P型半導(dǎo)體具有正電特性的空穴，形成PN結(jié)。
現(xiàn)在加大柵-源（g-s）間的電壓，PN結(jié)區(qū)域變寬，同時(shí)吸引PN結(jié)下方的電子到PN結(jié)與二氧化硅之間，這樣溝道就形成了。
3.溝挖好了，現(xiàn)在要"放水"了
在漏-源（d-s）間加上正向電壓，電子在電場下流動，形成電流。
4.為什么叫增強(qiáng)型？
因?yàn)橐纬蓽系?，?源（g-s）間就要加上正電壓，在一定范圍內(nèi)，加的正電壓越大，溝道越寬，導(dǎo)通的能力就越強(qiáng)。對應(yīng)的，耗盡型MOS管就明白了。
注意：在柵-源（g-s）間電壓目的不是為了使溝道下方的PN結(jié)導(dǎo)通，這里是為了形成溝道，與三極管在PN結(jié)上加正向電壓目的不一樣。
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