逆變器的工作原理
輸入接口部分：
輸入部分有3個信號，12V直流輸入VIN、工作使能電壓ENB及Panel電流控制信號DIM。VIN由Adapter提供，ENB電壓由主板上的MCU提供，其值為0或3V，當ENB=0時，Inverter不工作，而ENB=3V時，Inverter處于正常工作狀態；
而DIM電壓由主板提供，其變化范圍在0～5V之間，將不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，Inverter向負載提供的電流也將不同，DIM值越小，Inverter輸出的電流就越大。
電壓啟動回路：
ENB為高電平時，輸出高壓去點亮Panel的背光燈燈管。
PWM控制器：
有以下幾個功能組成：內部參考電壓、誤差放大器、振蕩器和PWM、過壓保護、欠壓保護、短路保護、輸出晶體管。
直流變換：
由MOS開關管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經過推挽放大器放大后驅動MOS管做開關動作，使得直流電壓對電感進行充放電，這樣電感的另一端就能得到交流電壓。
LC振蕩及輸出回路：
保證燈管啟動需要的1600V電壓，并在燈管啟動以后將電壓降至800V。
輸出電壓反饋：
當負載工作時，反饋采樣電壓，起到穩定Inventer電壓輸出的作用。
其實可以想象一下了。都有哪些電子元件需要正負極，電阻，電感一般不需要。二極管一般壞的可能就是被擊穿只要電壓正常一般是沒有問題的，三極管的話是不會導通的。
穩壓管如果正負接反的話就會損壞了，但一般有的電路加了保護就是利用二極管的單向導通來保護。在就是電容了，電容里有正負之分的就是電解電容了，如果正負接反嚴重的話其外殼發生爆裂。
主要元件二極管。開關管振蕩變壓器。取樣。調寬管。還有振蕩回路電阻電容等參開關電路原理。
逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（BJT），功率場效應管（MOSFET），絕緣柵晶體管（IGBT）和可關 斷晶閘管（GTO）等，
在小容量低壓系統中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通態壓降和較高的開關頻率，在高壓大容量系統中一般 均采用IGBT模塊，
這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態電阻也隨之增大，而IGBT在中容量系統中占有較大的優勢，而在特大容量（100KVA以 上）系統中，一般均采用GTO作為功率元件 。
大件：場效應管或IGBT、變壓器、電容、二極管、比較器以及3525之類的主控。交直交逆變還有整流濾波。
功率大小和精度，關系著電路的復雜程度。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。
與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。
1、全控型逆變器工作原理
為通常使用的單相輸出的全橋逆變主電路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。并由PWM脈寬調制控制IGBT管的導通或截止。
當逆變器電路接上直流電源后，先由Q11、Q14導通，Q1、Q13截止，則電流由直流電源正極輸出，經Q11、L或感、變壓器初級線圈圖1-2，到Q14回到電源負極。
當Q11、Q14截止后，Q12、Q13導通，電流從電源正極經Q13、變壓器初級線圈2-1電感到Q12回到電源負極。
此時，在變壓器初級線圈上，已形成正負交變方波，利用高頻PWM控制，兩對IGBT管交替重復，在變壓器上產生交流電壓。由于LC交流濾波器作用，使輸出端形成正弦波交流電壓。
當Q11、Q14關斷時，為了釋放儲存能量，在IGBT處并聯二級管D11、D12，使能量返回到直流電源中去。
2、半控型逆變器工作原理
半控型逆變器采用晶閘管元件。Th1、Th2為交替工作的晶閘管，設Th1先觸發導通，則電流通過變壓器流經Th1，同時由于變壓器的感應作用，換向電容器C被充電到大的2倍的電源電壓。
按著Th2被觸發導通，因Th2的陽極加反向偏壓，Th1截止，返回阻斷狀態。這樣，Th1與Th2換流，然后電容器C又反極性充電。如此交替觸發晶閘管，電流交替流向變壓器的初級，在變壓器的次級得到交流電。
在電路中，電感L可以限制換向電容C的放電電流，延長放電時間，保證電路關斷時間大于晶閘管的關斷時間，而不需容量很大的電容器。
D1和D2是2只反饋二極管，可將電感L中的能量釋放，將換向剩余的能量送回電源，完成能量的反饋作用。
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