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    6. 電容知識(shí),電容的作用分析
      • 發(fā)布時(shí)間:2022-08-09 19:22:16
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      電容知識(shí),電容的作用分析
      電容的作用
      1)電容的作用之一:電荷緩沖池
      器件工作時(shí)電源的負(fù)載時(shí)動(dòng)態(tài)的,即運(yùn)行器件的電流和功耗時(shí)不斷變化的,為了保證器件工作的電壓不隨電流和功耗的劇烈變化而同程度變化,我們希望器件的電壓盡量穩(wěn)定。
      在這種情況下,需要為器件提供一個(gè)緩沖池,以便當(dāng)外界環(huán)境劇烈變化時(shí),器件的工作能夠保持相對(duì)穩(wěn)定。
      電容的本質(zhì)是儲(chǔ)存電荷和釋放電荷,根據(jù)公式:
      Δ U = Δ Q/C
      Δ U 表示電容兩端電壓的變化量
      Δ Q 表示電容兩端電荷的變化量
      C為電容容值
      當(dāng)運(yùn)行器件電流變化時(shí)( Δ Q= Δ Ixt,即電荷Q需求不斷變化),根據(jù)上述公式可知: 通過(guò)電容電荷變化來(lái)減少電壓的變化(電壓變化幅度 Δ U與電容容值有關(guān)),從而保持器件工作電壓的穩(wěn)定。
      因此,電容的作用之一就是電荷緩沖池,保持工作電壓的穩(wěn)定。
      2)電容作用之二:高頻噪聲的重要泄放通路
      對(duì)于高速運(yùn)行的電路而言,無(wú)時(shí)無(wú)刻不存在狀態(tài)的轉(zhuǎn)變。比如芯片內(nèi)部開(kāi)關(guān)管狀態(tài)切換。這種高速的轉(zhuǎn)變將在電路上產(chǎn)生大量的噪聲等干擾。從頻譜上看,這些干擾在相當(dāng)大程度上處于有效的2次/3次等倍頻頻率。
      在電源傳輸路徑上,需要將這些干擾泄放到相對(duì)穩(wěn)定的地平面上,以免影響器件的工作。根據(jù) Z=1/(j ω \omega ωC),當(dāng)頻率較高時(shí),電容表現(xiàn)為低阻抗,因此,可將電容作為高頻噪聲的重要泄放通路。
      3)電容的作用之三:實(shí)現(xiàn)交流耦合
      當(dāng)兩個(gè)器件通過(guò)高速信號(hào)互連時(shí),信號(hào)兩端的器件可能對(duì)直流分量有不同的要求。
      例如,A和B兩個(gè)器件之間通過(guò)高速差分對(duì)信號(hào)互連,但A器件工作于1.8V,B器件工作于3.3V,則A器件驅(qū)動(dòng)的差分對(duì)信號(hào)將攜帶1.8V直流分量,導(dǎo)致信號(hào)到達(dá)接收端B器件時(shí)無(wú)法被識(shí)別;
      對(duì)于這種情況,需要將信號(hào)所攜帶的發(fā)送端的直流分量在達(dá)到接收端前濾除掉,即隔離信號(hào)兩邊器件的直流分量。基于電容的通交流,阻直流的天然特性,電容具有這種隔離功能(交流耦合AC couple 和直流隔離 DC Blocking)。
      電容等效電路及關(guān)鍵參數(shù)分析
      電容的等效電路如下圖所示:
      電容
      電容器并不是純粹的電容,而是帶有電阻、電感等成分的小電路。
      ESL: Equivalent Series Inductance, 等效串聯(lián)電感
      由電容器器件的引腳電感和電容器器件兩極間等效電感串聯(lián)而成,主要取決于封裝。
      隨著封裝的增大,ESL值將隨之增大。
      電容
      ESR: Equivalent Series Resistance, 等效串聯(lián)電阻
      由電容器件的引腳電阻和電容器兩極間等效電阻構(gòu)成。主要取決于電容的工作溫度、工作頻率以及電容體本身的導(dǎo)線(xiàn)電阻等。
      Rleak:并聯(lián)泄露電阻
      取決于電容器件本身特有的泄露特性。
      Rated Voltage: 額定電壓,器件最高工作電壓不能超過(guò)該值。
      Rated Ripple Current: 額定紋波電流,此參數(shù)的值越大,表示承受大電流沖擊的能力越好。
      Tangent of loss angle:電容損耗角正切值。
      理想電容工作時(shí),只會(huì)產(chǎn)生的無(wú)功功率Q(無(wú)功功率),由于電容內(nèi)部存在ESR及泄露電流,實(shí)際應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生一定的損耗功率P,定義 tan δ =P/Q, tan δ 就稱(chēng)為電容損耗角正切值。這個(gè)值越小,電容的功率損耗就越小。
      Leakage Current: 電容內(nèi)部存在Rleak,因此存在泄露通路,該參數(shù)用于定義流過(guò)電容的泄露電流。
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