1.三極管的構(gòu)成以及封裝
相信大家都了解過三極管，NPN晶體管其實(shí)就是具有兩種N型材料（或負(fù)載流子），而只有一種P型材料（或正載流子）的雙極結(jié)型晶體管的名稱，NPN 晶體管使用下面的示意圖符號(hào)。NPN 晶體管有兩種 N 型材料夾著 P 型材料，在N型材料中，負(fù)電荷占優(yōu)勢，而在P型材料中正電荷占優(yōu)勢。
NPN晶體管可以看作是兩個(gè)陽極連接的二極管，如下圖。對(duì)于二極管，陽極基本上是正極，而陰極是負(fù)極，NPN晶體管有兩個(gè)連接陽極的二極管，因?yàn)镻型材料夾在兩個(gè)N型材料之間。
現(xiàn)在 NPN 晶體管有多種封裝形式，例如目前應(yīng)用比較多的小功率NPN晶體管BC817有以下幾種封裝。
2.NPN晶體管原理
雙極結(jié)型晶體管是一種電流控制器件，這意味著，它需要一個(gè)電流流向它的基極，它才能按預(yù)期正常運(yùn)行。使晶體管工作的不是施加在基極上的電壓電平，而是流向基極的電流量。明白了這個(gè)屬性，現(xiàn)在很明顯，我們需要一個(gè)與基極串聯(lián)的電阻器來設(shè)置流過基極的電流水平。實(shí)際上，在處理 NPN 晶體管電路時(shí)，我們需要記住兩件事：
a.使三極管導(dǎo)通
b.設(shè)置器件的工作模式
要開啟晶體管，必須克服基極-發(fā)射極結(jié)電壓。克服基射結(jié)電壓（VBE）所需的電壓與二極管壓降相同，一般是0.7V左右。在實(shí)際應(yīng)用中，VBE 必須以所用晶體管的規(guī)格書為準(zhǔn)。例如 NXP 半導(dǎo)體的 BC817-25，VBEsat 隨溫度和集電極電流而變化，見下圖。
在通常的應(yīng)用中，施加到基極的電壓總是比 VBEsat 高得多，因此 VBEsat受溫度影響產(chǎn)生的變化可能不是問題。但是，如果不適當(dāng)考慮 VBE 的變化，有時(shí)候?qū)⑽＜熬w管的工作，因?yàn)樵谟性磪^(qū)工作時(shí)，基極電流會(huì)發(fā)生變化，然后集電極電流也會(huì)發(fā)生變化。一旦克服了 VBE，三極管就會(huì)成為電流控制設(shè)備。只要工作在放大區(qū)，集電極電流的大小很大程度上取決于基極電流的大小。NPN晶體管的基極和集電極電流與β（β）有關(guān)。一旦 NPN 晶體管導(dǎo)通，就可以設(shè)置其工作模式是放大器還是開關(guān)。這些取決于基極電流的大小。
Beta = I C / I B
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